ML307‑Y硬件设计规范(3)——射频与天线
发表时间：2025/10/23 10:50:59
阅读量：
来源：
深圳市义嘉泰科技有限公司
本篇聚焦工程师在 ML307‑Y 量产中最容易忽略、但最影响稳定性的细节，提供一份可执行的 Checklist 与常见坑速查。
• 频段：LTE FDD B1/3/5/8；TDD B34/38/39/40/41；最大发射功率 23 dBm±2 dB。
• 天线：50Ω，VSWR ≤2，效率 >30%，P_in_max 50 W。 • 馈线插损：<1 GHz：<1 dB；1–2.3 GHz：<1.5 dB；>2.3 GHz：<2 dB。
• 预留 π 型匹配位（L/C/C）；射频走线短直控阻抗；保证 RF 地的连续性与屏蔽策略。 • 结构件/电池/金属件影响显著，务必以整机进行 OTA/TRP/TIS 验证，避免仅凭裸天线数据决策。 • 天线开窗与边界净空要充足；FPC/陶瓷/金属框天线需在实机装配状态下复测与微调。
方案阶段：外壳材质/体积先行，反推天线类型与布置。 联调阶段：矢网校准、S11/效率/近场，装机后复测；馈线弯折半径与转角数量受控。 验证阶段：完成 OTA/TRP/TIS 与驻网性能路测，建立损耗预算闭环。
• 仅凭天线裸测，装机后被电池/金属遮挡导致 VSWR/效率恶化。 • 馈线过长/多转角/过度弯折 → 损耗超预算、上行功率限制、掉线率升高。
来源：ML307‑Y 硬件设计手册（AT 版）
EN